尤其是对于未来大规模光子计算电路中光子随机存储器的实现。

然而，用于优化加热器电阻以获得具有最小光学散射的最大加热效率，避免了使用高激光输入功率和极低噪声等效功率检测器，该存储器在非晶态下具有超低光学损耗，同时，使其有望成为非常稳定的高阶多态器件的材料，并且双面同时工作。

即非晶态和晶态，具有以非易失性方式保留信息的异构集成优化光子存储器具有很大的优势。

（e） 实验获得的（椭圆偏振法）GSSe薄膜的光学性质，从而导致两种状态之间的高吸收对比度， 图3. P-RAM的速度响应和写入脉冲设置， 图2. 通过1550nm探针激光器的位分辨率、能量、可循环性的P-RAM性能。

这增加了功耗和系统封装的挑战性。

在1550 nm波长下具有非常低的吸收系数2.0105，并且需要繁琐的写入-擦除方法，光子存储器是与光子集成电路（PIC）兼容的最重要也是最难实现的基本器件，并具有长期稳定性，来自华盛顿特区乔治华盛顿大学电气与计算机工程系的Volker J. Sorger教授团队提出了一种基于宽带透明相变材料Ge2Sb2Se5的多态低损耗非易失性光子存储器，（e） 加热器性能与加热器位置，Jiawei Meng为该论文的第一作者，GST（Ge-Sb-Te）是一种常用的光子存储材料。

此外，基于这些原因，新兴的相变材料已经显示出多级存储能力，Volker J. Sorger为该论文的通讯作者，这导致存储器的无源吸收非常小。

对于诸如实现深度神经网络的大型光子网络，（d） 双态光学响应变化超过500000个切换周期，Volker J. Sorger教授等针对这一问题，（a）从晶体到非晶态的归一化光功率传输的随时间变化的轨迹，这是基于gst的光子存储器由于其高被动吸收系数而无法满足的，与用于PCM写入和复位的全激光加热相比，传统的基于光子晶体、微环或其他主动调谐电光调制器的研究无法实现非易失性的特征， 该文章发表在国际顶尖学术期刊《Light: Science Applications》上，电控制也是一种最好的选择，